IGBTのケイ素 モジュールFF450R33T3E3のinfineon IGBTモジュール450A 3300V
Parametrics
FF450R33T3E3
二重構成
次元(長さ) 140.0 mm
次元(幅) 99.8 mm
特徴段階の足
XHP 3の収容
IC ()/nomの(nom) 450.0 A
IC最高の450.0 A
産業資格;牽引
技術IGBT3 - E3
VCE (坐った) (Tvj=25°Cのタイプ) 2.55ボルト
VCES/VRRM 3300.0 V
VF (Tvj=25°Cのタイプ) 3.1ボルト
電圧クラス最高の3300.0 V
指定
類似した製品特質の属性値の調査
製造業者:Infineon
製品カテゴリ:IGBTモジュール
出荷の制限:
このプロダクトは追加ドキュメントが米国から輸出するように要求するかもしれない。
RoHS:細部
プロダクト:IGBTのケイ素 モジュール
構成:二重
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:3300ボルト
Collector-Emitterの飽和電圧:2.5 V
25 Cの連続的なコレクター流れ:450 A
ゲート エミッターの漏出流れ:400 nA
パッケージ/場合:AG-XHP100-3
最低の実用温度:- 40 C
最高使用可能温度:+ 150 C
包装:皿
シリーズ:Trenchstop IGBT3 - E3
技術:Si
ブランド:インフィニオン・テクノロジーズ
様式の取付け:ねじ台紙
最高のゲートのエミッターの電圧:20ボルト
製品タイプ:IGBTモジュール
工場パックの量:1
下位範疇:IGBTs
商号:TRENCHSTOP XHP
部分#別名:FF450R33T3E3 SP001779538
単位重量:1.543 lbs
Infineonは3,3のkVの強力な適用のための最初のXHP 3モジュールをおよび450 A.示している。XHP 3は牽引、CAV、海兵隊員および媒体電圧ドライブのような要求の適用のための優秀な解決を示す。モジュールは最高にクラスの信頼性および高い発電密度の拡張可能な設計を可能にする。
すべてのXHP 3モジュールに幅で長さが同じ次元、140のmm、100つのmmおよび高さで10のmmがある。これは周波数変換装置の概念を最大限に活用するために実行するためにプロダクト デザイナーに異なった流れおよび電圧評価を渡る同種の解決を造る機会を与える。収容するXHP 3の最初のモジュールはFF450R33T3E3およびFF450R33T3E3_B5である。
特徴
–新しいXHP 3の標準化されたハウジング
– CTI 600
–火及び煙の分類acc。EN45545 R22、R23、R24:HL2
– AlSiCのベースプレート
– AlNの基質
–超音波溶接されたターミナル
–対称的な内部現在の共有
–低い外部インダクタンス
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