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450A 3300V IGBTのケイ素モジュールFF450R33T3E3 Infineon IGBTモジュール

Name: 450A 3300V IGBTのケイ素 モジュールFF450R33T3E3 Infineon IGBTモジュール
Brand: Shenzhen Wisdomlong Technology CO.,LTD
SKU: FF450R33T3E3
Price: 10000.00 USD
Availability: InStock

製品詳細:

起源の場所:	FR
ブランド名:	IGBT
モデル番号:	FF450R33T3E3

詳細情報

起源の場所:

ブランド名:

IGBT

モデル番号:

FF450R33T3E3

ブランド:

INFINEON

モデル:

FF450R33T3E3

シリーズ:

IGBT

印:

セリウム

Volatge:

3300V

現在:

450A

単位重量::

1.543 lbs

ハイライト:

High Light

ハイライト:

3300V IGBTのケイ素モジュール

450A IGBTのケイ素モジュール

F450R33T3E3 Infineon IGBTモジュール

取引情報

最小注文数量:

価格:

交渉可能

パッケージの詳細:

オリジナル箱で新しい

受渡し時間:

2-3の仕事日

支払条件:

T/T、ウェスタン・ユニオン

供給の能力:

100

製品の説明

IGBTのケイ素モジュールFF450R33T3E3のinfineon IGBTモジュール450A 3300V

Parametrics
FF450R33T3E3
二重構成
次元（長さ） 140.0 mm
次元（幅） 99.8 mm
特徴段階の足
XHP 3の収容
IC （）/nomの（nom） 450.0 A
IC最高の450.0 A
産業資格;牽引
技術IGBT3 - E3
VCE （坐った）（Tvj=25°Cのタイプ） 2.55ボルト
VCES/VRRM 3300.0 V
VF （Tvj=25°Cのタイプ） 3.1ボルト
電圧クラス最高の3300.0 V

指定

類似した製品特質の属性値の調査

製造業者:Infineon

製品カテゴリ:IGBTモジュール

出荷の制限:

このプロダクトは追加ドキュメントが米国から輸出するように要求するかもしれない。

RoHS:細部

プロダクト:IGBTのケイ素モジュール

構成:二重

最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:3300ボルト

Collector-Emitterの飽和電圧:2.5 V

25 Cの連続的なコレクター流れ:450 A

ゲートエミッターの漏出流れ:400 nA

パッケージ/場合:AG-XHP100-3

最低の実用温度:- 40 C

最高使用可能温度:+ 150 C

包装:皿

シリーズ:Trenchstop IGBT3 - E3

技術:Si

ブランド:インフィニオン・テクノロジーズ

様式の取付け:ねじ台紙

最高のゲートのエミッターの電圧:20ボルト

製品タイプ:IGBTモジュール

工場パックの量:1

下位範疇:IGBTs

商号:TRENCHSTOP XHP

部分#別名:FF450R33T3E3 SP001779538

単位重量:1.543 lbs

Infineonは3,3のkVの強力な適用のための最初のXHP 3モジュールをおよび450 A.示している。XHP 450A 3300V IGBTのケイ素モジュールFF450R33T3E3 Infineon IGBTモジュール 0

3は牽引、CAV、海兵隊員および媒体電圧ドライブのような要求の適用のための優秀な解決を示す。モジュールは最高にクラスの信頼性および高い発電密度の拡張可能な設計を可能にする。
すべてのXHP 3モジュールに幅で長さが同じ次元、140のmm、100つのmmおよび高さで10のmmがある。これは周波数変換装置の概念を最大限に活用するために実行するためにプロダクトデザイナーに異なった流れおよび電圧評価を渡る同種の解決を造る機会を与える。収容するXHP 3の最初のモジュールはFF450R33T3E3およびFF450R33T3E3_B5である。

特徴
–新しいXHP 3の標準化されたハウジング
– CTI 600
–火及び煙の分類acc。EN45545 R22、R23、R24:HL2
– AlSiCのベースプレート
– AlNの基質
–超音波溶接されたターミナル
–対称的な内部現在の共有
–低い外部インダクタンス

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連絡窓口:アナ

電子メール:wisdomlongkeji@163.com

携帯電話:+0086-13534205279

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