GE Fanuc IC660EBD021の入力/出力のブロックは16回路の源および流し入力/出力のブロックである

Ge Fanuc IC660EBD021, I/Oブロックは16回路のソースとシンクI/Oブロックです

技術情報

GE Fanuc IC660EBD021 I/Oブロックは,Genius I/OシリーズI/Oブロックとして製造された16回路のソースとシン I/Oブロックと電子組成です.

これらのブロックはインテリジェントで 異なるDCセンサーとアクチュエータと 接続できるように設定できますDC16回路ソースブロックの2つのバージョンがあり,電源タイプと意図された用途によって分類されていますこの2つのブロックバージョンは24VDC源ブロックオプションと24/48VDC源ブロックオプションです DC16回路シンクブロックも2つのバージョンで利用できます24/48ボルトDCと24ボルトDCシンクブロックのバージョンです.

ソースとシンクブロックの両方が設計され,出力装置に電流を供給することを意図しています. Genius I/O IC660EBD021ブロックは,高温,オープンワイヤ,障害スイッチ入力診断5から100ミリ秒間の選択可能な入力フィルター持続時間も搭載しています

このモジュールのIC660EBD021 I/Oブロックの仕様には 最大の波紋が10%で 停電時間は10ミリ秒で1500ボルトのブロック対ブロック隔離電圧がありますIC660EBD021 DC 16回路のソースとシンク I/O ブロックは, 16 つの離散回路を備えています. これらはすべて出力,入力,または3 つの状態の入力として構成できます.

これらの出力回路は,他のモジュールまたは論理状態逆転を使用せずに入力回路に直接接続することも可能である.GE Fanuc IC660EBD021ブロックは,さまざまな端末に接続されたI/Oデバイスからの制御電力を利用しますこのブロックには追加のまたは別々の電源は必要ありません.このソース/シンク I/O ブロックの他の注目すべき構成可能な機能は,出力パルステストと出力アップデフォルトです.

IC660EBD021について

IC660EBD021 I/Oブロックは,GE Genius I/Oシリーズの一部としてGE Intelligent Platforms/GE Fanucが製造した16回路のDC I/Oブロックである.このモジュールは,インテリジェント,構成可能なブロックで,さまざまな離散DCアクチュエータとセンサーとインターフェースに使用できます.また,フィールド出力装置に電流を供給する2つのDC駆動16回路源も含まれています.IC660EBD021 16回路のシンクまたはソース I/O ブロックは,出力として構成できる16の孤立回路で提供されています出力回路は,他のコンポーネントまたは論理状態逆転を使用することなく,入力回路に接続することができる.このユニットは,出力パルステスト機能などの設定可能な機能と来ています,出力電源アップデフォルト,および選択可能な入力フィルター時間10〜100マイクロ秒.また,出力"最後の状態を保持する"またはデフォルト設定機能があります.

GE Fanuc IC660EBD021 I/O ブロックは,インストールトリガーと実行時のエラーを識別できる根本的な診断機能を持っています.このブロックの診断機能には,スイッチの障害検出,超温保護GE Fanuc IC660EBD021 I/Oブロックは約4ポンドまたは1.8キログラムを重く,熱消耗度は 68 です.8ワット,すべての 16 つの出力が 2 Amps の電流で電源を供給する. DC 電源に必要な電流は,典型的には 150 ミリアンプで,最大は 200 ミリアンプである. 電源の停止時間は 10 マイクロ秒である.オン状態にあるとき,電源ブロックの電圧範囲は16~24VDC,シンクブロックの電圧範囲は0~8VDCで,電源ブロックの電圧は24VDCである.

IC660EBD021に関する技術仕様