GE Fanuc IC660EBD024のブロックはDC 32回路の源でしたり/入出力ブロックを沈める

Ge Fanuc IC660EBD024,ブロックはDC32回路ソース/シンク入力と出力ブロックです

技術情報

GE Fanuc IC660EBD024ブロックは,DC32回路のソース/シンク入力および出力ブロックである.Genius I/Oシリーズに属し,GE インテリジェント プラットフォーム/GE Fanuc Automationによって製造されている.構成可能でインテリジェント,このブロックは,二進法信号を供給または受信するデバイスとのコントローラをインターフェースします.このブロックを特徴付けるのは,さまざまな入力デバイスと互換性があるという事実です.電子近接スイッチなどIC660EBD024 I/O ブロックは,32回路 5, 12, 12 を含む 2 つのモデルで利用できます.または24ボルトDCシンクブロックと12/24ボルトDCソースブロック.2つの間の違いは,ソースブロックは,フィールド出力装置から電流を供給するために設計され,意図されているが,シンクブロックはフィールド出力装置から電流を受け取る.

GE Fanuc IC660EBD024 ソース/シンク I/O ブロックの主な特徴と特性には,シンクとソースの両方のバージョンの 12 から 24 ボルト DC の名値電圧が含まれます.このブロックのこのシンクバージョンも 5 ボルト TTL電圧と互換性がありますさらに,32の入力と出力は構成可能であり,ブロック上で混合することができる.このブロックの他の顕著な特徴は,高度な診断,リセット可能な自己保護回路,ソフトウェアの構成IC660EBD024ブロックには 32 個の同一の離散入力と出力回路があり,それぞれが出力,入力,設計やアプリケーションの効率性の最大限の柔軟性を提供するためにフィードバックの出力として.

IC660EBD024について

IC660EBD024 DC 32回路の離散型I/O電子装置は,GE Intelligent Platforms/GE FanucがGenius I/Oシリーズの一部として製造している.このユニットには32回路があり 孤立した入力と出力です体重は約1kg8 kilograms or 4 pounds and it has a block to block isolation of 850 Volts with a minimum heat dissipation of 11 Watts with 8 inputs and a minimum dissipation of 18 Watts with 32 outputs at a current rating of 5 Ampsシンクモデルのみでは,単源で10~30V DC (12/24V DC供給) または4.9~5.3V DC (5V DC供給) の稼働電圧範囲があります.このブロックに必要な直流電流は,典型的には150ミリアンプで,最大300ミリアンプです.GE Fanuc IC660EBD024電子装置の他の出力仕様には,回路1回あたり最大0.5 Ampsの静止状態出力電流,合計16 Ampsのブロック出力電流,最大出力オンデレーは0.5ミクロ秒で,故障出力診断を切り替える

GE Fanuc IC660EBD024の電子装置は,環境温度 0~60°Cで動作し,貯蔵温度は -40~100°Cで,そして,不凝縮相対湿度容量範囲は5~95%ですこの電子装置の 32 つの同一の入力と出力回路は,それぞれ入力または出力として構成することができます.ブロックが組み合わせブロックとして設定されたとき,出力フィードバックは対応する入力参照で提供されます.32回路のDCソース入力と出力ブロックは,電源の負面側に接続されているすべての出力装置を備えています.出力のために,ポジティブな電源側を制御するオン状態は論理1でオフ状態は論理0です

IC660EBD024の技術仕様