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GE Fanuc IC660EBD025の電子工学アセンブリ ブロックは製造される

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GE Fanuc IC660EBD025の電子工学アセンブリ ブロックは製造される

大画像 :  GE Fanuc IC660EBD025の電子工学アセンブリ ブロックは製造される

商品の詳細:

起源の場所: 米国
ブランド名: GE
モデル番号: IC660EBD025

お支払配送条件:

最小注文数量: 1
価格: 交渉可能
パッケージの詳細: オリジナル箱で新しい
受渡し時間: 5-8の仕事日
支払条件: T/T
供給の能力: 100
詳細製品概要
ブランド: GE Fanuc モデル: IC660EBD025
シリーズ: 天才入力/出力 製品タイプ: 電子工学アセンブリ
回路: 2の32回路 分離を妨げるブロック: 850ボルト
作動の電圧: 4.9から5.3ボルトDCの5ボルトDCの供給 保証: 1年
ハイライト:

5V DCデジタル私Oモジュール

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PLCはリレー出力モジュールを隔離した

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PCMのソリッド ステート マイクロコンピューター モジュール

GE Fanuc IC660EBD025の電子工学アセンブリ ブロックは製造される

技術情報

GE Fanuc IC660EBD025の電子アセンブリは天才入力/出力の製品グループのメンバーとしてGE理性的なPlatforms/GE Fanucによって製造された32回路の流しおよび源入力/出力のブロックのための電子アセンブリである。IC660EBD025電子アセンブリが部分の持っている5、12、か24ボルトのの評価をDCであるおよびそれはDC 12から24ボルトので32回路の源のブロック評価したである分野の出力装置から現在を受け取るように設計されていることこの32回路の流しのブロック。

天才入力/出力のブロックは8つの入力との少くとも11ワットの熱放散の評価の850ボルトのブロックにブロックの分離を特色にし、5つのAmps.の現在の評価で32出力との最高の熱放散の18ワットがある。IC660EBD025電子アセンブリを含むブロックに、DC 12か24ボルトか流しのブロックだけのための5ボルトの電源電圧のDC 4.9から5.3ボルトので評価される電源とのDC 10から30ボルトのの1源の作動の電圧範囲がある。

IC660EBD025電子アセンブリの他の著しい指定はおよび全体のDC 32回路の源/流しのブロックは12/24ボルトで10%最高および5ボルトで1%のさざ波が最高含まれている。

これらのブロックはまた12ボルトで4ミリ秒および24ボルトで20ミリ秒の動力源のドロップアウトの時間がある。それらにまた300のmilliamps最高および150のmilliampsの必須のDC電源の現在の評価が典型的ある。通常、これらのブロックは約4ポンド(1.8キログラム)の重量を量り、次元は8.83のx 3.58のx 4.7インチである。IC660EBD025電子アセンブリの出力規格のいくつかは回路ごとの0.5 Ampsの定常出力電流および16のAmpsのブロックの出力電流を全体最高で含んでいる。

IC660EBD025について

GE Fanuc IC660EBD025の電子工学アセンブリは天才入力/出力シリーズの一部としてGE Fanucによって製造された電子工学アセンブリである。この電子工学アセンブリは分野の出力装置に現在を提供するために源のブロックのDC 12/24ボルトので評価される32の回路を含む2つの32回路DCのブロックを、備え、32の回路は分野の出力装置から現在を受け取る流しのブロックのDC 5、12、か24ボルトので評価した。

5ボルトTTL互換性がある流し版のDC 12から24ボルトののわずかな電圧評価のIC660EBD025電子工学アセンブリ操業。32回路のDC入力および出力ブロックは2ワイヤーおよび3-wire電子近さスイッチのようないろいろな入力装置によってインターフェイスする。

出力は力を接触器、ランプおよびリレーのようなローパワー制御および指摘装置に与えることができる。IC660EBD025電子工学アセンブリの回路は出力または入力であるために完全に形成することができる。

GE Fanuc IC660EBD025の電子工学アセンブリを使用して、出力回路は入力回路に論理の州の逆転か他の部品を使用しないで直接接続することができる間。

この柔軟性は産業適用に効率を提供する。あらゆる回路は作り付けの保護と短時間のサージを可能にしている間装置を保護するのにそれらが出力として使用されているとき来る。それはまたワイヤーで縛る間違いによって引き起こされるショートさせた負荷に対して保護を提供する。それはまた適切なブロック操作、またCPUコミュニケーションを示すブロックLEDを特色にする。GE Fanuc IC660EBD025の電子工学アセンブリの欠陥報告は回路によって不具か可能にされた回路行う場合もある。

このブロックの他の構成可能の特徴は出力powerupのデフォルト設定、CPUの重複のタイプおよびバス スイッチ・モジュール制御を含んでいる。

IC660EBD025のための技術仕様

ブランド GE Fanuc
シリーズ 天才入力/出力
部品番号 IC660EBD025Â
ブランド GE理性的なPlatforms/GE Fanucのオートメーション
製品種目 天才入力/出力
製品タイプ 電子工学アセンブリ
回路 2の32回路
分離を妨げるブロック 850ボルト
作動の電圧 10から30ボルトDCの12/24のV DCの供給
作動の電圧 4.9から5.3ボルトDCの5ボルトDCの供給
最大出力の流れ(定常) 0.5 Amps
最高の侵入の流れ 4つのAmps 10マイクロ秒まで
ブロックの出力電流 16のAmps
最高。出力turn-on遅れ 0.5マイクロ秒
実用温度 摂氏0から60のdegress
出力診断 スイッチ欠陥
保管温度 -40から100つの摂氏温度
不凝縮湿気 5%から95%


連絡先の詳細
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コンタクトパーソン: Mayne

電話番号: +86 13170829968

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