詳細情報 |
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ブランド: | GE Fanuc | モデル: | IC660EBD025 |
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シリーズ: | 天才入力/出力 | 製品タイプ: | 電子工学アセンブリ |
回路: | 2の32回路 | 分離を妨げるブロック: | 850ボルト |
動作電圧: | 4.9から5.3ボルトDCの5ボルトDCの供給 | 保証: | 1年 |
ハイライト: | 5V DCデジタル私Oモジュール,PLCはリレー出力モジュールを隔離した,PCMのソリッド ステート マイクロコンピューター モジュール |
製品の説明
GE Fanuc IC660EBD025の電子工学アセンブリ ブロックは製造される
技術情報
GE Fanuc IC660EBD025の電子アセンブリは天才入力/出力の製品グループのメンバーとしてGE理性的なPlatforms/GE Fanucによって製造された32回路の流しおよび源入力/出力のブロックのための電子アセンブリである。IC660EBD025電子アセンブリが部分の持っている5、12、か24ボルトのの評価をDCであるおよびそれはDC 12から24ボルトので32回路の源のブロック評価したである分野の出力装置から現在を受け取るように設計されていることこの32回路の流しのブロック。
天才入力/出力のブロックは8つの入力との少くとも11ワットの熱放散の評価の850ボルトのブロックにブロックの分離を特色にし、5つのAmps.の現在の評価で32出力との最高の熱放散の18ワットがある。IC660EBD025電子アセンブリを含むブロックに、DC 12か24ボルトか流しのブロックだけのための5ボルトの電源電圧のDC 4.9から5.3ボルトので評価される電源とのDC 10から30ボルトのの1源の作動の電圧範囲がある。
IC660EBD025電子アセンブリの他の著しい指定はおよび全体のDC 32回路の源/流しのブロックは12/24ボルトで10%最高および5ボルトで1%のさざ波が最高含まれている。
これらのブロックはまた12ボルトで4ミリ秒および24ボルトで20ミリ秒の動力源のドロップアウトの時間がある。それらにまた300のmilliamps最高および150のmilliampsの必須のDC電源の現在の評価が典型的ある。通常、これらのブロックは約4ポンド(1.8キログラム)の重量を量り、次元は8.83のx 3.58のx 4.7インチである。IC660EBD025電子アセンブリの出力規格のいくつかは回路ごとの0.5 Ampsの定常出力電流および16のAmpsのブロックの出力電流を全体最高で含んでいる。